Кт315 зарубіжний. BC847 аналог вітчизняний - кт315 транзистор. Найбільш важливі параметри

Кремнієві епітаксійно-планарні n-p-n транзистори типу КТ315 та КТ315-1 (комплементарна їм пара). Призначені для застосування в підсилювачах високої, проміжної та низької частоти, що безпосередньо застосовуються в радіоелектронній апаратурі, що виготовляється для техніки цивільного призначення та для постачання на експорт. Транзистори КТ315 та КТ315-1 випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. Транзистор КТ315 виготовляється у корпусі КТ-13. Після КТ315 став випускатися в корпусі КТ-26 (закордонний аналог TO92), транзистори в цьому корпусі отримали додаткову «1» в позначенні, наприклад КТ315Г1. Корпус надійно оберігає кристал транзистора від механічних та хімічних ушкоджень. Транзистори KT315H та КТ315Н1 призначені для застосування у кольоровому телебаченні. Транзистори KT315P та КТ315Р1 призначені для застосування у відеомагнітофоні «Електроніка – ВМ». Транзистори виготовляють у кліматичному виконанні УХЛ та в єдиному виконанні, придатному як для ручного, так і для автоматизованого збирання апаратури.

КТ315 випускався підприємствами: "Електроприлад" м. Фрязіно, "Квазар" м. Київ, "Континент" м. Зеленодольськ, "Кварцит" м. Орджонікідзе, ВО "Елькор" Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, НДІПП м. Томськ, ПЗ «Електроніка» м. Воронеж, 1970 р. їх виробництво також було передано до Польщі на підприємство Unitra CEMI.

В результаті переговорів у 1970 році Воронезьким об'єднанням «Електроніка» у плані співробітництва було передано до Польщі виробництво транзисторів КТ315. Для цього у Воронежі повністю демонтували цех, та у найкоротші терміни разом із запасом матеріалів та комплектуючих переправили, змонтували та запустили його у Варшаві. Цей науково-виробничий центр з електроніки, створений у 1970 році, був виробником напівпровідників у Польщі. Unitra CEMI зрештою збанкрутувала в 1990 році, залишивши польський ринок мікроелектроніки відкритим для іноземних компаній. Сайт музей підприємства Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/ . До кінця існування СРСР Загальна кількістьвипущених транзисторів КТ315 перевищило 7 мільярдів.

Транзистор КТ315 випускається, до сьогодні рядом підприємств: ЗАТ «Кремній» м. Брянськ, СКБ «Елькор» Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, завод НДІПП м. Томськ. Транзистор КТ315-1 випускається: ЗАТ "Кремній" м. Брянськ, завод "Транзистор" Республіка Білорусь м. Мінськ, АТ "Елекс" м. Олександрів Володимирська область.

Приклад позначення транзисторів КТ315 під час замовлення та в конструкторській документації іншої продукції: «Транзистор КТ315А ЖК.365.200 ТУ/05», для транзисторів КТ315-1: «Транзистор КТ315А1 ЖК.365.200 ТУ/02».

Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1 представлені у таблиці 1.

Таблиця 1 – Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1

Тип	Структура	P До max, P К * т. max , мВт	f гр, МГц	U КБО max , U КЕР*max , У	U ЕБО max , У	I До max мА	I КБО, мкА	h 21е, h 21Е*	C До, пФ	r КЕ нас, Ом	r б, Ом	τ до, пс
KT315A1	n-p-n	150	≥250	25	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Б1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315В1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Г1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Д1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Е1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Ж1	n-p-n	100	≥250	15	6	100	≤0,5	30...250 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315І1	n-p-n	100	≥250	60	6	100	≤0,5	30 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Н1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
KT315Р1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	150...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
КТ315А	n-p-n	150 (250*)	≥250	25	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
КТ315Б	n-p-n	150 (250*)	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315В	n-p-n	150 (250*)	≥250	40	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Г	n-p-n	150 (250*)	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Д	n-p-n	150 (250*)	≥250	40* (10к)	6	100	≤0,6	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Е	n-p-n	150 (250*)	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Ж	n-p-n	100	≥250	20* (10к)	6	50	≤0,6	30...250* (10 В; 1 мА)	≤7	≤25	–	≤800
КТ315І	n-p-n	100	≥250	60* (10к)	6	50	≤0,6	≥30* (10 В; 1 мА)	≤7	≤45	–	≤950
КТ315Н	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤5,5	–	≤1000
КТ315Р	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,5	150...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	–	≤500

Примітка:
1. I КБО – зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера, виміряний при U КБ = 10 В;
2. I До max – максимально допустимий постійний струм колектора;
3. U КBO max – пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера;
4. U ЕБO max – пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора;
5. U КЕР max – пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер;
6. Р К.т max – постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням;
7. P До max – максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється;
8. r б - опір бази;
9. r КЕ нас – опір насичення між колектором та емітером;
10. C К - ємність колекторного переходу, виміряна при U К = 10 В;
11. f гp - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми загальним емітером;
12. h 2lэ – коефіцієнт зворотний зв'язок по напрузі транзистора як мало сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно;
13. h 2lЕ – для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу;
14. τ до - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті.

Габарити транзистора КТ315

Тип корпусу транзистора КТ-13 Маса одного транзистора трохи більше 0,2 р. Величина сили, що розтягує 5 Н (0,5 кгс). Мінімальна відстань місця вигину виведення від корпусу – 1 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння 1 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори повинні витримувати вплив тепла, що виникає за температури паяння (260 ± 5) °С протягом 4 секунд. Висновки повинні зберігати паяність протягом 12 місяців з дати виготовлення за дотримання режимів та правил виконання паяння, зазначених у розділі «Вказівки щодо експлуатації». Транзистори стійкі до дії спирто-бензинової суміші (1:1). Транзистори КТ315 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315 наведено малюнку 1.

Малюнок 1 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315

Габарити транзистора КТ315-1

Тип корпусу транзистора КТ-26 Маса одного транзистора трохи більше 0,3 р. Мінімальна відстань місця вигину виведення корпусу – 2 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння не менше 2 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори КТ315-1 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2.

Малюнок 2 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315-1

Цоколівка транзисторів

Якщо розташувати транзистор КТ315 маркуванням від себе (як показано малюнку 1) висновками вниз, то лівий висновок це основа, центральний – колектор, а правий – емітер.

Якщо розташувати транзистор КТ315-1 навпаки маркуванням себе (як показано малюнку 2) висновками також вниз, то лівий висновок це емітер, центральний – колектор, а правий – база.

Маркування транзисторів

Транзистор КТ315. Тип транзистора вказується в етикетці, і навіть на корпусі приладу як букви вказувалася група. На корпусі вказується повна назва транзистора або лише літера, яка зсунута до лівого краю корпусу. Товарний знак заводу може не вказуватись. Дата випуску ставиться у цифровому або кодованому позначенні (при цьому можуть вказувати лише рік випуску). Крапка у складі маркування транзистора свідчить про його застосування – у складі кольорового телебачення. А старі (вироблені до 1971 року) транзистори КТ315 маркувалися літерою, що стоїть посередині корпусу. При цьому перші випуски маркувалися лише однією великою літерою, а приблизно 1971 року перейшли на звичну дворядкову. Приклад маркування транзистора КТ315 показаний малюнку 1. Слід зазначити, що транзистор КТ315 був першим масовим транзистором з кодовою маркуванням в мініатюрному пластмасовому корпусі КТ-13. Переважна більшість транзистори КТ315 і КТ361 (характеристики такі ж, як у КТ315, а провідність p-n-p) було випущено в корпусах жовтого або червоно-жовтогарячого кольорів, значно рідше можна зустріти транзистори рожевого, зеленого і чорного кольорів. У маркування транзисторів призначених для продажу крім літери, що позначає групу, товарного знаку заводу та дати виготовлення входила і роздрібна ціна, наприклад, «ц20к», що означало ціна 20 копійок.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистори також вказується в етикетці, а на корпусі вказується повна назва транзистора, а також транзистори можуть маркуватися кодовим знаком. Приклад маркування транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2. Маркування транзистора кодовим знаком наведено у таблиці 2.

Таблиця 2 - Маркування транзистора КТ315-1 кодовим знаком

Тип транзистора	Маркувальна мітка на зрізі бічній поверхні корпусу	Маркувальна мітка на торці корпусу
KT315A1	Трикутник зеленого кольору	Крапка червоного кольору
KT315Б1	Трикутник зеленого кольору	Точка жовтого кольору
KT315В1	Трикутник зеленого кольору	Крапка зеленого кольору
KT315Г1	Трикутник зеленого кольору	Крапка блакитного кольору
KT315Д1	Трикутник зеленого кольору	Точка синього кольору
KT315Е1	Трикутник зеленого кольору	Крапка білого кольору
KT315Ж1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки червоного кольору
KT315І1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки жовтого кольору
KT315Н1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки зеленого кольору
KT315Р1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки блакитного кольору

Вказівки щодо застосування та експлуатації транзисторів

Основне призначення транзисторів – робота у підсилювальних каскадах та інших схемах радіоелектронної апаратури. Допускається застосування транзисторів, виготовлених у звичайному кліматичному виконанні в апаратурі, призначеній для експлуатації у всіх кліматичних умовах, при покритті транзисторів безпосередньо в апаратурі лаками (3-4 шари) типу УР-231 за ТУ 6-21-14 або ЕП-730 по ГОСТ 20824 з наступним сушінням. Допустиме значення статичного потенціалу 500 В. Мінімально допустима відстань від корпусу до місця лудіння та паяння (по довжині виведення) 1 мм для транзистора КТ315 та 2 мм для транзистора КТ315-1. Кількість допустимих перепайок висновків під час проведення монтажних (складальних) операцій – одна.

Зовнішні фактори, що впливають

Механічні впливи групи 2 таблиця 1 в ГОСТ 11630, зокрема:
– синусоїдальна вібрація;
- Діапазон частот 1-2000 Гц;
- Амплітуда прискорення 100 м / с 2 (10g);
- Лінійне прискорення 1000 м/с 2 (100g).

Кліматичні впливи – за ГОСТ 11630, зокрема: підвищена робоча температура середовища 100 °С; знижена робоча температура середовища мінус 60 ° С; зміна температури середовища мінус 60 до 100 °С. Для транзисторів КТ315-1 зміна температури середовища мінус 45 до 100 °С

Надійність транзисторів

Інтенсивність відмов транзисторів протягом напрацювання понад 3×10 -7 1/год. Напрацювання транзисторів t н = 50 000 годин. 98-відсотковий термін зберігання транзисторів 12 років. Упаковка повинна забезпечити захист транзисторів від зарядів статичної електрики.

Закордонні аналоги транзистора КТ315

Закордонні аналоги транзистора КТ315 наведені у таблиці 3. Технічну інформацію (datasheet) на закордонні аналоги транзистора КТ315 також можна завантажити у таблиці нижче. Наведені нижче ціни відповідають станом на 08.2018 року.

Таблиця 3 – Закордонні аналоги транзистора КТ315

Вітчизняний транзистор	Зарубіжний аналог	Можливість купити	Підприємство виробник	Країна виробник
КТ315А		ні	Unitra CEMI	Польща
КТ315Б		ні	Unitra CEMI	Польща
КТ315В		ні	Unitra CEMI	Польща
КТ315Г		ні	Unitra CEMI	Польща
КТ315Д		є	Hitachi	Японія
КТ315Е		є ~ 4$	Central Semiconductor	США
КТ315Ж		є ~ 9 $	Sprague electric corp.	США
		є	ITT Intermetall GmbH	Німеччина
КТ315І		є ~ 16 $	New Jersey Semiconductor	США
		є	Sony	Японія
КТ315Н		є ~ 1$	Sony	Японія
КТ315Р		ні	Unitra CEMI	Польща

Закордонним зразком транзистори КТ315-1 є транзистори 2SC544, 2SC545, 2SC546 підприємство виробник Sanyo Electric, країна виробництва Японія. Транзистори 2SC545, 2SC546 можна також придбати, орієнтовна ціна становить близько 6$.

Основні технічні характеристики

Основні електричні параметри транзисторів КТ315 при прийманні та поставці наведені в таблиці 4. Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора наведені в таблиці 5. Вольт-амперні характеристики транзисторів КТ315 наведені на малюнках 3 – 8. Залежності електричних параметрів транзисторів малюнки 9 – 19.

Таблиця 4 – Електричні параметри транзисторів КТ315 під час приймання та постачання

Найменування параметра (режим виміру) одиниці виміру	Літерне позначення	Норма параметра		Температура, °С
		не менше	не більше
Гранична напруга (IC = 10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315І КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	U (CEO)	15 30 25	–	25
(I C = 20 мA, I B = 2 мА), КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315І	U CEsat	–	0,4 0,6 0,5 0,9
Напруга насичення колектор-емітер (IC = 70 мA, I B = 3,5 мА), В КТ315Н	U CEsat	–	0,4
Напруга насичення база-емітер (IC = 20 мА, I B = 2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315І	U BEsat	–	1,0 1,1 0,9 1,35
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КГ315І	I CBO	–	0,5 0,6	25, -60
Зворотний струм колектора (U CB =10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е	I CBO	–	10 15	100
Зворотний струм емітера (U EB =5 В) мкА КТ315А - КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315І КТ315Р	I EBO	–	30 50 3	25
, (R BE = 10 ком U CE = 25 В), мА, KT3I5A (R BE = 10 ком U CE = 20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА КТ315В (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Г (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА, КТ315Д (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Е	I CER	–	0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005
Зворотний струм колектор-емітер (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Р	I CER	–	0,01	100
Зворотний струм колектор-емітер (U CE = 20 В), мА, КТ315Ж (U CE = 60 В), мА, КТ315І	I CES	–	0,01 0,1	25, -60
Зворотний струм колектор-емітер (U CE = 20 В), мА, KT3I5Ж (U CE = 60 В), мА, KT3I5І	I CES	–	0,1 0,2	100
Статичний коефіцієнт передачі струму (U CB = 10 В, IE = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	120 350 90 250 – 350	25
Статичний коефіцієнт передачі струму (U CB = 10 В, IE = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	250 700 250 400 – 700	100
Статичний коефіцієнт передачі струму (U CB = 10 В, IE = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р	h 21E	5 15 5 5 5 70	120 350 90 250 – 350	-60
Модуль коефіцієнта передачі струму на високій частоті (U CB = 10 В, IE = 5 мА, f = 100 МГц)	|h 21E |	2,5	–	25
Ємність колекторного переходу (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ	C C	–	7	25

Таблиця 5 - Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора КТ315

Параметр, одиниця виміру	Позначення	Норма параметра
		КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315І	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер, (R BE = 10 кОм), В 1)	U CERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер при короткому замиканні в ланцюгу емітер-база, 1)	U CES max	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустима постійна напруга колектор-база, 1)	U CB max	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустима постійна напруга емітер-база, 1)	U EB max	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимий постійний струм колектора, ма 1)	I C max	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, мВт 2)	P C max	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустима температура переходу, ⁰С	t j max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Примітка:
1. Для всього діапазону робочих температур.
2. При t атв від мінус 60 до 25 °С. При підвищенні температури більше 25 ° С P C max розраховується за формулою:

де R t hjα - загальний тепловий опір перехід-довкілля, що дорівнює 0,5 ° С/мВт.

Рисунок 3 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р
Рисунок 4 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р
при U CE = 0, t атв = (25±10) °С Малюнок 5 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315І
при t атв = (25±10) °С Малюнок 6 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
при t атв = (25±10) °С Рисунок 7 – Типові вихідні характеристики
транзистора КТ315Ж при t атв = (25±10) °С Рисунок 8 – Типові вихідні характеристики
транзистора КТ315Р при t атв = (25±10) °С Рисунок 9 – Залежність напруги насичення колектор-емітер від постійного струму колектора для транзисторів типу КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р при IC/I B = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 10 – Залежність напруги насичення база-емітер від постійного струму колектора для транзисторів типу КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р при IC / IB = 10, t ат = (25±10) °С Рисунок 11 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзисторів КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315І при U CB = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 12 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзисторів КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при UCB = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 13 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзистора КТ315Ж при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 14 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзистора КТ315Р при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 15 – Залежність модуля коефіцієнта передачі струму за високою частотою від постійного струму емітера при U CB = 10, f = 100 МГц, t атв = (25±10) °С Рисунок 16 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від напруги колектор-база при IE = 5 мА, t ат = (25±10) °С для КТ315А Рисунок 17 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від напруги колектор-база при I E = 5 мА, t атв = (25±10) °С для КТ315Е, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р Рисунок 18 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від струму емітера при U CB = 10 В, f = 5 МГц, t атв = (25±10) °С для
КТ315А

Транзистор – напівпровідниковий елемент електричного ланцюга, керований вхідним сигналом. Як сигнал може використовуватися як звичний електричний струм, але і, наприклад, світло в роботі фототранзистора.

Транзистор КТ3102– це найпопулярніший радянський біполярний транзистор, який застосовувався і застосовується до цього дня у схемах різних підсилювачів сигналу: операційних підсилювачах, диференціальних та УНЧ (підсилювач низької частоти). КТ3102, за рахунок невеликої товщини бази, посилював сигнал по струму в тисячі разів. Виготовляється з кремнію, найчастіше методом епітаксії (нарощування нових напівпровідникових шарів на кремнієвій підкладці).

Транзистор КТ3102 спочатку найчастіше виготовлявся у металевому циліндричному корпусі, звичному для багатьох радянських транзисторів. На даний момент він виготовляється у пластиковому корпусі. Є комплементарною парою для КТ3107.

Принцип роботи приладу полягає в управлінні струмом рахунок зміни напруги. Щоб елемент почав працювати, до нього потрібно додати напруги. Тоді пристрій відкриється. Змінюючи напругу бази, ми керуємо всім елементом.

Існує досить велика кількість різних варіантівданого приладу, що відрізняються один від одного тими чи іншими показниками. Для розгляду всіх варіантів приладу введемо наступні параметри КТ3102:

Перераховані вище характеристики КТ3102 однакові для всіх моделей приладу. Тобто, при будь-якому маркуванні приладу, ви повинні враховувати перераховані вище значення. Наведені нижче показники відрізнятимуться залежно від типу елемента. У подальшому наведемо коротке зведення параметрів для кожного типу.

• U КБ – максимальна різниця потенціалів системи колектор-база.
• U КЕ – максимальна різниця потенціалів системи колектор-емітер.
• H 21е - коефіцієнт посилення при підключенні із загальним емітером.
• I КБ – зворотний струм колектора.
• До Ш – коефіцієнт шуму.

Для зручності всі показники будуть винесені до таблиці. Літера М та її відсутність у позначенні пари транзисторів (наприклад, КТ3102А та КТ3102АМ) означає тип корпусу. З літерою М – пластиковий корпус. Без неї – металевий. Показники не залежить від типу корпусу. У таблиці також будуть наведені зарубіжні аналоги КТ3102.

Тип	U КБ та U КЕ, В	H 21 Е	I КБ, МкА	До Ш, Дб	Аналог КТ3102
КТ3102А(АМ)	50	100-250	0,05	10	2 N 4123
КТ3102Б(БМ)	50	200-500	0,05	10	2N2483
КТ3102В(ВМ)	30	200-500	0,15	10	2SC828
КТ3102Г(ГМ)	20	400-1000	0,15	10	BC546C
КТ3102Д(ДМ)	30	200-500	0,15	4	BC547B
КТ3102Е(ЕМ)	20	400-1000	0,15	4	BC547C
КТ3102Ж(ЖМ)	50	100-250	0,05	-	-
КТ3102І(ІМ)	50	200-500	0,05	-	-
КТ3102К(КМ)	20 та 30	200-500	0,15	-	-

Маркування та цоколівка

Цей прилад має структуру n - p - n. Висновки елемента ліворуч-праворуч, при зверненні лицьової частини транзистора до нас (плоска сторона з маркуванням), мають такий порядок - "колектор-база-емітер". Цоколівку КТ3102 потрібно знати та враховувати її при паянні приладу. Помилка під час паяння може пошкодити весь транзистор.

Маркування транзисторів застосовується на відміну одного типу приладу від іншого. Наприклад, відмінності між типом А та Б. У випадку КТ3102, маркування має таку структуру:

• Зелений кружок на лицьовій стороні означає тип транзистора. У нашому випадку – КТ3102.
• Гурток зверху означає букву приладу (А, Б, В тощо). Використовуються такі позначення:

А – червоний чи бордовий. Б – жовтий. В – зелений. Г – блакитний. Д – синій. Е – білий. Ж – темно-коричневий.

На деяких приладах замість колірних позначень маркування пишеться словами. Наприклад, 3102 EM. Подібні позначення зручніші за кольорові.

Знання маркування транзистора дозволить правильно підібрати потрібний елемент відповідно до необхідних параметрів.

Закордонні аналоги КТ3102

Для заміни KT 3102існує дуже велика кількість зарубіжних аналогів KT 3102. Аналог може бути абсолютно ідентичним оригіналу, наприклад, КТ3102 можна сміливо замінювати на 2 SA 2785. Ця заміна KT 3102 абсолютно ніяк не вплине на роботу конкретної схеми, оскільки транзистори мають однакові показники. Існують також неідентичні аналоги, які трохи відрізняються за показниками, але їх використання все одно можливе у деяких випадках.

Деякі закордонні аналоги КТ3102 були наведені у таблиці. Також цей прилад може бути замінений вітчизняними аналогами КТ611 та КТ660 або на такі закордонні аналоги, як ВС547 та ВС548.

Один із найвідоміших транзисторів - КТ315, аналог якого нескоро з'явився на теренах Радянського Союзу, і який був першим масовим радянським транзистором. Він настільки універсальний, що його продовжують використовувати досі (хоч і досить обмежено і переважно радіоаматори). Причиною для цього стала їхня універсальність, тривалий час експлуатації та наявність величезного досвіду створення чогось з їх допомогою (з яким можна ознайомитися у спеціальних джерелах).

Розробка

Ідеєю масового випуску радянські інженери спалахнули ще 1966 року. Розроблений транзистор був у 1967 році Фрязінським напівпровідниковим заводом у його дослідно-конструкторському бюро. А 1968-го зійшли перші одиниці.

Чим він вирізняється серед інших транзисторів

Насамперед звертали увагу на його зовнішній виглядта характеристики. Планка частотності становила 250 МГц, що на 1967 рік було дуже і дуже багато. Також легкість виробництва зумовила випуск величезної кількості транзисторів. Було в ньому дещо унікальне (на той час) і в питаннях заземлення мінусового полюса живлення.

Технологія, яка покладена основою транзистора

Для виробництва застосовувалася планарна технологія (було передбачено, що це структури створюються однією боку, провідність матеріалу - як і колекторах, тому спочатку під час використання формується базова область, та був у ній - емітерна). Параметри, отримані ним, зробили його найкращим у світі (на момент створення). Він дозволив замінити багато інших деталей в електроніці, причому був дешевим. Доходило до того, що у Радянському Союзі у магазинах для радіоаматорів його продавали на вагу.

КТ315 - аналоги вітчизняні та зарубіжні

Але так як головною темоюстатті не КТ315 - аналоги для цього транзистора, то слід вже приділити увагу і основний темі. Отже, ось список аналогів:

1. Біполярний транзистор BC847B. Відносно дорогий (3 рублі за 1 штуку) малопотужний транзистор, що має значний коефіцієнт посилення. Якщо порівнювати з КТ315, зарубіжний аналог досить дорогий. Але він має ту перевагу, що при паянні та перепаюванні не так швидко виходить з ладу (що не в останню чергу завдяки його збільшеній та зміцненій конструкції). Максимальна потужність, що розсіюється, - 0,25. На напрям "колектор-база" може подаватися до 50 Вольт. На колектор-емітер – до 45 Вольт. Максимальна напруга для спрямування емітер-база складає 6 Вольт. Колекторний перехід має ємність 8. Гранична температура переходу становить 150 градусів. Статистичний коефіцієнт передачі струму – 200.
2. Біполярний транзистор 2SC634. Цей імпортний аналог КТ315 є досить збалансованим щодо характеристик та ціни. Значення максимальної потужності, що розсіюється, становить 0,18. Максимально допустима напруга на колектор-базу та колектор-емітер – 40 Вольт. Емітер-база – всього 6 Вольт. Місткість колекторного переходу становить 8. Гранична температура переходу – 125 градусів. Статичний коефіцієнт передачі струму – 90.
3. Біполярний транзистор КТ3102. Сказати, що він для КТ315 – аналог вітчизняний буде невірно, адже історично так склалося, що подібні деталі виготовлялися одного виду, який відповідає всім необхідним запитам та може виконати покладені на нього функції. Справа в тому, що просто КТ3102 не існує, обов'язково слідом йде ще одна літера. Щоб уникнути конфліктів, значення будуть вказані для всієї групи. Детальнішу інформацію ви зможете отримати, переглядаючи кожен транзистор. Вітчизняна технологія є вдосконаленим КТ315. Аналог у цьому випадку – слово не зовсім доречне, скоріше удосконалений механізм. Максимальна потужність КТ3102, що розсіюється, становить 0,25. На колектор-базу може подаватися максимальна напруга 20-50 Вольт. Максимальна напруга, яку можна подавати на колектор-емітер, також становить 20-50 Вольт. Максимальна напруга на емітер-базу складає 5 Вольт. Місткість колекторного переходу дорівнює 6. Гранична температура переходу – 150 градусів. Статичний коефіцієнт передачі струму дорівнює 100.
4. Біполярний транзистор 2SC641. Максимальна потужність, що розсіюється, - 0,1. Напруга на напрямку колектор – база не повинна перевищувати 40 Вольт. Максимальна напруга на напрямку колектор - емітер не повинна перевищувати 15 Вольт. Для спрямування емітер - база цього значення не повинна перевищувати 5 Вольт. Місткість колекторного переходу становить 6 одиниць. Гранична температура переходу – 125 градусів. Статичний коефіцієнт передачі струму дорівнює 35.

Де вони застосовуються

КТ315, аналоги (закордонні та вітчизняні) використовувалися і зараз використовуються радіоаматорами при створенні підсилювачів високих, середніх та низьких частот. Також вони можуть бути застосовані у генераторах, перетворювачах сигналів та логічних схемах. Якщо напружити мозок, можна знайти й інше застосування, але це основне призначення для КТ315. Параметри аналог (будь-який) має трохи інші. Але головне, що це біполярні транзистори, і їхня потужність важлива виключно для потужностей схем, які будуть зібрані.

Висновок

У статті було розглянуто прототип (КТ315) та його аналоги з описом можливостей їх використання. Залишається сподіватися, що надана інформація буде вам корисна. Також необхідно нагадати, що транзистори є досить крихкими елементами, які, до того ж, часто перегорають. Тому при роботі з ними, та й з іншими деталями електротехніки, дотримуйтесь техніки безпеки.

Перелік і кількість дорогоцінних металів, які можна витягти з транзистора КТ3102БМ.

Інформація із довідників виробників. Довідник вмісту дорогоцінних металів (золота, срібла, платини та МПГ) у транзисторі із зазначенням його ваги які використовуються (або використовувалися) при виробництві в радіотехніці.

Транзистор (англ. transistor), напівпровідниковий тріод- радіоелектронний компонент із напівпровідникового матеріалу, зазвичай з трьома висновками, що дозволяє вхідним сигналом керувати струмом в електричному ланцюзі. Зазвичай використовується для посилення, генерації та перетворення електричних сигналів. У загальному випадку транзистором називають будь-який пристрій, який імітує головну властивість транзистора - зміни сигналу між двома різними станами при зміні сигналу на електроді, що управляє.

У польових та біполярних транзисторах керування струмом у вихідний ланцюга здійснюється за рахунок зміни вхідної напруги або струму. Невелика зміна вхідних величин може призводити до істотно більшої зміни вихідної напруги та струму. Ця підсилювальна властивість транзисторів використовується в аналоговій техніці (аналогові ТБ, радіо, зв'язок тощо). Нині аналогової техніки домінують біполярні транзистори (БТ) (міжнародний термін - BJT, bipolar junction transistor). Іншою найважливішою галуззю електроніки є цифрова техніка (логіка, пам'ять, процесори, комп'ютери, цифровий зв'язок тощо), де, навпаки, біполярні транзистори майже повністю витіснені польовими.

А тепер давайте поговоримо про польові транзистори. Що можна припустити вже за однією їхньою назвою? По-перше, оскільки вони транзистори, то за їх допомогою можна якось керувати вихідним струмом. По-друге, вони мають на увазі наявність трьох контактів. І по-третє, в основі їхньої роботи лежить p-n перехід. Що нам на це скажуть офіційні джерела?

Польовими транзисторами називають активні напівпровідникові прилади, зазвичай з трьома висновками, у яких керують вихідним струмом за допомогою електричного поля .

Визначення як підтвердило наші припущення, а й продемонструвало особливість польових транзисторів - управління вихідним струмом відбувається у вигляді зміни прикладеного електричного поля, тобто. напруги. А ось у біполярних транзисторів, як ми пам'ятаємо, вихідним струмом керує вхідний струмоснови.

Ще один факт про польові транзистори можна дізнатися, звернувши увагу на їхню іншу назву. уніполярні. Це означає, що в процесі протікання струму у них бере участь лише один вид носіїв заряду (або електрони чи дірки).

Три контакти польових транзисторів називаються джерело (джерело носіїв струму), затвор (керуючий електрод) і сток (електрод, куди стікають носії). Структура здається простою і дуже схожою на влаштування біполярного транзистора. Але реалізувати її можна як мінімум двома способами. Тому розрізняють польові транзистори з керуючим p-n переходом та із ізольованим затвором .

Схема транзистора та схеми включення транзистора.

Будь-який підсилювач, незалежно від частоти, містить від одного до кількох каскадів посилення. Щоб мати уявлення по схемотехнике транзисторних підсилювачів, розглянемо докладніше їх принципові схеми.

Транзисторні каскади, залежно від варіантів підключення транзисторів, поділяються на:

1 Каскад із загальним емітером (на схемі показаний каскад з фіксованим струмом бази - це один з різновидів усунення транзистора).
2 Каскад із загальним колектором
3 Каскад із загальною базою

Параметри транзисторів
UКБО – максимально допустима напруга колектор – база;
UКБО і - максимально допустима імпульсна напруга колектор - база;
UКЕО - максимально допустима напруга колектор - емітер;
UКЕО і - максимально допустима імпульсна напруга колектор-емітер;
UКЕН – напруга насичення колектор – емітер;
UСІ max - максимально допустима напруга стік - витік;
UСІО - напруга стік - витік при обірваному затворі;
UЗІ max - максимально допустима напруга затвор - витік;
UЗІ отс - напруга відсічення транзистора, при якому струм стоку досягає заданого низького значення (для польових транзисторів з р-n переходом і з ізольованим затвором);
UЗІ пір - Порогова напруга транзистора між затвором і стоком, при якому струм стоку досягає заданого низького значення (для польових транзисторів з ізольованим затвором і п-каналом);
IK max – максимально допустимий постійний струм колектора;
IK max - максимально допустимий імпульсний струм колектора;
IC max – максимально допустимий постійний струм стоку;
IC поч - початковий струм стоку;
IC ост - залишковий струм стоку;
IКБО – зворотний струм колектора;
РК max - максимально допустима постійна потужність, що розсіюється, колектора без тепловідведення;
РК max т - максимально допустима постійна потужність, що розсіюється, колектора з тепловідведенням;
РСІ max - максимально допустима постійна потужність, що розсіюється, стік - виток;
H21Е - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора у схемі із загальним емітером;
RСІ отк - опір стік - витік у відкритому стані;
S – крутість характеристики;
fГР. - гранична частота коефіцієнта передачі струму у схемі із загальним емітером;
КШ – коефіцієнт шуму біполярного (польового) транзистора;

Схеми включення транзистора

Для включення в схему транзистор повинен мати чотири висновки - два вхідні та два вихідні. Але транзистори всіх різновидів мають лише три висновки. Для включення трививідного приладу необхідно один із висновків об'єднати, і оскільки таких комбінацій може бути лише три, то існують три базові схеми включення транзистора:
Схеми включення біполярного транзистора

із загальним емітером (ОЕ) - здійснює посилення як за струмом, так і за напругою - схема, що найчастіше застосовується;
із загальним колектором (ОК) - здійснює посилення тільки по струму - застосовується для узгодження високоімпедансних джерел сигналу з низькоомними опорами навантажень;
із загальною базою (ПРО) - посилення тільки за напругою, через свої недоліки в однотранзисторних каскадах посилення застосовується рідко (переважно в підсилювачах НВЧ), зазвичай у складових схемах (наприклад, каскодних).

Схеми включення польового транзистора

Польові транзистори, як з p-n переходом(канальні), і МОП (МДП) мають такі схеми включення:

із загальним витоком (ОІ) - аналог ОЕ біполярного транзистора;
із загальним стоком (ОС) – аналог ОК біполярного транзистора;
із загальним затвором (ОЗ) – аналог ПРО біполярного транзистора.

Схеми з відкритим колектором (стоком)

"Відкритим колектором (стоком)" називають включення транзистора за схемою із загальним емітером (витоком) у складі електронного модуля або мікросхеми, коли колекторний (Світковий) висновок не з'єднується з іншими елементами модуля (мікросхеми), а безпосередньо виводиться назовні (на роз'єм модуля або виведення мікросхеми). Вибір навантаження транзистора та струму колектора (стоку) при цьому залишається за розробником кінцевої схеми, у складі якої застосовуються модуль або мікросхема. Зокрема, навантаження такого транзистора може бути підключене до джерела живлення з більш високим або напругою живлення модуля/мікросхеми. Такий підхід значно розширює рамки застосування модуля або мікросхеми за рахунок невеликого ускладнення кінцевої схеми. Транзистори з відкритим колектором (стоком) застосовуються в логічних елементах ТТЛ, мікросхемах із потужними ключовими вихідними каскадами, перетворювачах рівнів, шинних формувачах (драйверах) тощо.

Рідше застосовується зворотне включення – з відкритим емітером (початком). Воно також дозволяє вибирати навантаження транзистора після виготовлення основної схеми, подавати на емітер/сток напругу полярності, протилежної напруги живлення основної схеми (наприклад, негативна напруга для схем з біполярними транзисторами n-p-n або N-канальними польовими), і т.п.

Маркування транзисторів - Колірне та кодове маркування транзисторів.

Кодове маркування дати випуску приладів
Рік Кодоване позначення
1983 R
1984 S
1985 Т
1986 U
1987 V
1988 W
1989 X
1990 A
1991 В
1992 З
1993 D
1994 E
1995 F
1996 H
1997 J
1998 K
1999 L
2000 N

Місяць Кодоване позначення
Січень 1
Лютий 2
Березень 3
Квітень 4
Травень 5
Червень 6
Липень 7
Серпень 8
Вересень 9
Жовтень 0
Листопад N
Грудень D

Колірне кодування групи
Група Кольорова точка зверху
А темно-червона
Б Жовта
В Темно-зелена
Г Блакитна
Д Синя
Е Біла
Ж Темно-коричнева
І Срібляста
Помаранчева
Л Світло-тютюнова
М Сіра

Цоколівка транзисторів

При підборі аналогів деталей за схемами завжди виникає питання правильного їх монтажу на друкованій платі. Цоколівка (розпинання) транзисторів. Ось зараз хочу описати і викласти на одній сторінці цоколівки (розпинання) всіх вітчизняних транзисторів, щоб Вас питання розташування ніжок транзисторів не вводило в оману.

Транзистори довідник - корпуси транзистори

транзистори довідник - корпуси транзистори

Принцип роботи Транзистори

В даний час знаходять застосування транзистори двох видів - біполярні та польові. Біполярні транзистори з'явилися першими і набули найбільшого поширення. Тому зазвичай їх називають просто транзисторами. Польові транзистори з'явилися пізніше і поки що використовуються рідше за біполярні.

Біполярними транзистори називають тому, що електричний струм у них утворюють електричні заряди позитивної та негативної полярності. Носії позитивних зарядів прийнято називати дірками, негативні заряди переносяться електронами. У біполярному транзисторі використовують кристал із германію або кремнію - основних напівпровідникових матеріалів, що застосовуються для виготовлення транзисторів та діодів. Тому і транзистори називають одні кремнієвими, інші - германієвими. Для обох різновидів біполярних транзисторів характерні особливості, які зазвичай враховують при проектуванні пристроїв.

куплю транзистори, транзистор ціна

Якщо у вас є більше інформації про трансформатор КТ3102БМ, повідомте її нам ми безкоштовно розмістимо її на сайті.

Фото транзистор КТ3102БМ:

Характеристики транзистор КТ3102БМ:

Купити або продати а також ціни на транзистор КТ3102БМ (куплю транзистори, транзистор ціна):

Залишіть відгук чи безкоштовне оголошення про купівлю або продаж

У вихідний день вирішив зібрати відеопідсилювач для своєї ігрової приставки Dendy для покращення якості відео зображення. Схема досить проста, і налічує не більше десятка радіодеталей. Зібрана вона, на дуже поширених радянських транзисторах, візуально дуже схожих, читаємо корисну статтю, як відрізнити транзистор кт315 від кт361?

Нема про транзисторів кт315 і кт361

Одні з найпоширеніших високочастотних транзисторів, що виготовляються з кремнію, запаси якого, на нашій планеті, дуже вражають. КТ 315 має провідність n-p-n, кт 361 має протилежну. Їх поєднує тип корпусу, кт 13, і дуже часто ці біполярні транзистори використовуються в парі. Набули величезного поширення у вітчизняній електроніці, у схемах посилення та перетворення.

Як відрізнити кт315 від кт361

Як правило, дані транзистори випускаються у пластиковому корпусі, кількох колірних варіантах, жовті, червоні, коричневі. Для їх звіряння, розташовуємо їх маркуванням до себе. Дивимося на маркування, точніше її розташування, на корпусі транзистора.

Для визначення транзистора кт315, на його корпусі буде надрукована буква, розміщуватиметься вона, в лівій його частині зверху. У кт361 буква буде розташована строго по центру.
Цоколівка у них буде однакова, у цій послідовності, емітер, колектор, база.

Позначення транзистора КТ315Б на схемах

На важливих схемах транзистор позначається як буквеним кодом, і умовним графічним. Літерний код складається з латинських літер VT та цифри (порядкового номера на схемі). Умовне графічне позначення транзистора КТ315Б зазвичай поміщають у гурток, що символізує його корпус. Коротка рисочка з лінією від середини символізує базу, дві похилі лінії, проведені до країв під кутом 60°, - емітер і колектор. Емітер має стрілку, спрямовану від бази.

Характеристики транзистора КТ315Б

• Структура n-p-n
• Максимально допустима (імпульсна) напруга колектор-база 20 В
• Максимально допустима (імпульсна) напруга колектор-емітер 20 В
• Максимально допустимий постійний (імпульсний) струм колектора 100 мА
• Максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, без тепловідведення (з тепловідведенням) 0.15 Вт
• Статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора у схемі із загальним емітером 50-350
• Зворотний струм колектора
• Гранична частота коефіцієнта передачі струму у схемі із загальним емітером => 250 МГц

Аналоги транзистора КТ315Б

Транзистори серій КТ315 та КТ 361
Серія цих крем'яних транзисторів дуже популярна, починаючи з минулого століття і досі. Поміж іншого, у них дуже зручний корпус і висновки для поверхневого монтажу. Ці транзистори дуже потоваришували з мікроконтролерами і часто використовуються як буферні каскади між МК та периферією. Доступність і ціна цієї серії радують будь-якого радіоаматора, можна брати одразу відерами. Функції у радіосхемах цих транзисторів дуже різноманітні. Висока гранична частота дозволяє робити на них генератори до УКХ діапазону. У малопотужних звукових підсилювачах вони добре себе зарекомендували. Колір корпусу транзисторів може бути жовтий, зелений, червоний, інші мені не траплялися.
Тепер трохи докладніше про корпуси: Як відрізнити КТ315 від КТ361? Як видно на корпусі, варто лише маркування. останньої літерисерії. Тут є кілька способів: Перше це необхідно запам'ятати, що основа у цієї серії справа, а емітер зліва. Транзистор КТ315Б Якщо ви дивитесь на транзистор логотип і його ноги дивляться вниз. Тут найпростіше це вставити транзистор в мультиметр, де є перевірка транзисторів. 315 серія це n-p-n кристал, 361 серія p-n-pкристал.
Другий варіант це заміряти провідність переходів мультиметром (база-емітер, база-колектор). КТ315 будуть телефонувати переходи з плюсом на базі, КТ361 з мінусом на базі.
Ну і останнє, це як я їх відрізняю: Все дуже просто у КТ315 буква логотипу зліва, а у КТ361 вона посередині. Добре, пробіжимося електричними параметрами даних виробів вітчизняної електроніки. Потужність - 150 мВт Гранична частота - 100 МГц Струм колектора-100 мА Посилення - 20 - 250 (залежить від літери та розкиду параметрів при виготовленні) У реалії транзистори однієї партії з логотипом «Е» показали розкид посилення від 57 до 186 для кт361 і 106 — 208 для кт 315. Напруга колектор-емітер - 25в (а, б), 35в (в, г, д, е), 60в (ж, і). Перевірити транзистори на справність нескладно. Тим самим мультиметром на режимі «продзвонювання» перевіряємо опір між емітером та колектором. В обидві сторони має бути обрив. Потім дзвонимо переходи від бази на емітер та від бази на колектор. При справному транзисторі обидва переходи (з урахуванням своєї полярності) мають показати приблизно однакові показники близько 500-600 Ом.

Довідка про аналоги високочастотного біполярного npn транзистора BC847C.

Ця сторінка містить інформацію про аналоги біполярного високочастотного npn транзистора BC847C.

Перед заміною транзистора на аналогічний, !ОБОВ'ЯЗКОВО! порівняйте параметри оригінального транзистора та запропонованого на сторінці аналога. Рішення про заміну приймайте після порівняння характеристик з урахуванням конкретної схеми застосування та режиму роботи приладу.

Можна спробувати замінити транзистор BC847C
транзистором 2N2222;
транзистором BC547C;
транзистором
транзистором FMMTA06;
транзистором

Колективний розум.

Додано користувачами:

дата запису: 2016-05-31 01:30:30

Додати аналог транзистора BC847C.

Ви знаєте аналог чи комплементарну парутранзистор BC847C?

КТ315: аналоги у світі

Додати. Поля, що позначені зірочкою, є обов'язковими для заповнення.

Зміст довідника транзисторів

Параметри польових транзисторів n-канальних.
Параметри польових транзисторів p-канальних.
Додати опис польового транзистора.

Параметри транзисторів низькочастотних біполярних npn.
Параметри транзисторів низькочастотних біполярних pnp.
Параметри транзисторів високочастотних біполярних npn.
Параметри транзисторів високочастотних біполярних pnp.
Параметри транзисторів біполярних надвисокочастотних npn.
Параметри транзисторів біполярних надвисокочастотних pnp.
Додати опис біполярного транзистора.

Параметри біполярних транзисторів із ізольованим затвором (БТІЗ, IGBT).
Додати опис біполярного транзистора із ізольованим затвором.

Пошук транзистора з маркування.
Пошук біполярного транзистора за основними параметрами.
Пошук польового транзистора за основними параметрами.
Пошук БТІЗ (IGBT) за основними параметрами.

Типорозміри корпусів транзисторів.
Магазини електронні компоненти.

Є надія, що довідник транзисторів виявиться корисним досвідченим і початківцям радіоаматорам, конструкторам та учням. Всім тим, хто так чи інакше стикається з необхідністю дізнатися більше про параметри транзисторів. Детальнішу інформацію про всі можливості цього інтернет-довідника можна прочитати на сторінці «Про сайт».
Якщо Ви помітили помилку, величезне прохання написати листа.
Дякую за терпіння та співпрацю.

Транзистори КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзистори КТ817, - Кремнієві, універсальні, потужні низькочастотні, структури - n-p-n.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, перетворювачах та імпульсних схемах.
Корпус пластмасовий, із гнучкими висновками.
Маса — близько 0,7 г. Маркування буквено — цифрове, на бічній поверхні корпусу, може бути двох типів.

Кодоване чотиризначне маркування в один рядок і некодоване — в два. Перший знак кодованого маркування КТ817 цифра 7, другий знак — буква, що означає клас. Два наступні знаки означають місяць і рік випуску. У некодованому маркуванні місяць і рік вказані у верхньому рядку. На малюнку нижче - цоколівка та маркування КТ817.

Найважливіші параметри.

Коефіцієнт передачі струмуу транзисторів КТ817А, КТ817Б, КТ817В 20 .
У транзистора КТ817Г - 15 .

Гранична частота коефіцієнта передачі струму — 3 МГц.

Максимальна напруга колектор – емітер.У транзистора КТ817А - 25 в.
У транзисторів КТ817Б - 45 в.
У транзистора КТ817В - 60 в.
У транзистора КТ817Г - 80 в.

Максимальний струм колектора. — 3 А. Потужність колектора, що розсіюється.— 1 Вт, без тепловідведення, 25 Вт - з тепловідведенням.

Напруга насичення база-емітер 1,5 в.

Напруга насичення колектор-емітерпри струмі колектора 3А, а бази 0,3А - не більше 0,6 в.

Зворотний струм колекторау транзисторів КТ817А при напрузі колектор-база 25 в, транзисторів КТ817Б при напрузі колектор-база 45 в, транзисторів КТ817В при напрузі колектор-база 60 в, транзисторів КТ817Г при напрузі колектор-база 100 в - 100 мкА.

Ємність колекторного переходупри напрузі колектор-база 10 в, на частоті 1МГц - не більше 60 пФ.

Місткість емітерного переходупри напрузі емітер-база 0,5 - 115 пФ.

Компліментарний(аналогічний за параметрами, але протилежної провідності) транзистор - КТ816.

Закордонні аналоги транзисторів КТ817.

КТ817А - TIP31A
КТ817Б - TIP31B
КТ817В - TIP31C
КТ817Г - 2N5192.

Транзистори – купити… або знайти безкоштовно.

Де зараз можна знайти радянські транзистори?
В основному тут два варіанти — або купити, або отримати безкоштовно, в ході розбирання старого електронного мотлоху.

Під час промислового колапсу початку 90-х утворилися досить значні запаси деяких електронних комплектуючих. Крім того, повністю виробництво вітчизняних електронних ніколи не припинялося і не припиняється досі. Це і пояснює той факт, що дуже багато деталей минулої епохи, все-таки можна купити. Якщо ж ні — завжди є сучасні імпортні аналоги. Де і як найпростіше купити транзистори? Якщо вийшло так, що поблизу вас немає спеціалізованого магазину, то можна спробувати придбати необхідні деталі, замовивши їх поштою. Зробити це можна зайшовши на сайт-магазин, наприклад - "Гулівер".

Якщо ж у вас, є якась стара, непотрібна техніка - зламані телевізори, магнітофони, приймачі та інше.

Навігація за записами

т. д - можна спробувати видобути транзистори (та інші деталі) із нього.
Найпростіше ситуація з КТ315. У будь-якій промисловій та побутовій апаратурі і з середини 70-х років ХХ століття і закінчуючи початком 90-х його можна зустріти практично повсюдно.
КТ3102 можна знайти у попередніх каскадахпідсилювачів магнітофонів - "Електроніка", "Вега", "Маяк", "Вільма" і. т.д.
КТ817 - у стабілізаторах блоків живлення тих же магнітофонів, іноді в кінцевих каскадах підсилювачів звуку (у магнітолах Вега РМ-238С, РМ338С і т.п)

На головну сторінку